[Xiamen Powerway] Freestanding GaN substrate

[Xiamen Powerway] Products

[Xiamen Powerway] Freestanding GaN substrate

 

Description:

선도적인 GaN substrates 공급업체인 Xiamen Powerway은 UHB-LED, LD 및 MOS 기반 장치로 제조하기 위한 Bulk GaN substrates인 독립형 (Gallium Nitride) GaN substrate wafer의 제조 기술을 확립했습니다. hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology로 성장한 Xiamen Powerway의 III 질화물 소자용 GaN substrate은 결함 밀도가 낮고 매크로 결함 밀도 또한 낮거나 자유롭습니다. GaN substrate의 두께는 330~530µm입니다.

전력 소자 외에도 gallium nitride semiconductor substrates은 향상된 전기적 특성을 제공하고 성능이 현재 소자를 능가하기 때문에 백색광 LED 제조에 점점 더 많이 사용되고 있습니다. 또한 gallium nitride semiconductor substrates 의 급속한 발전으로 결함 밀도가 낮고 매크로 결함 밀도가 없는 고효율 GaN free standing substrates이 개발되었습니다. 따라서 이러한 GaN substrates은 백색 LED에 점점 더 많이 사용될 수 있습니다. 그 결과 Bulk GaN substrates 시장은 빠르게 성장하고 있습니다. Bulk GaN wafer는 수직 전력 디바이스 개념을 테스트하는 데 사용할 수 있습니다.

Specification:

 

Item	PAM-FS-GaN100-N+
Conduction Type	N type/Si doped
Size	4'(100)+/-1mm
Thickness	480+/-50
Primary Flat Length	32+/-1mm
Secondary Flat Length	18+/-1mm
Dislocation Density	<5x106cm-2
FWHM	<= 100arc.sec
TTV	<= 30um

 

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